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应用材料发布三维芯片核心装备，强化先进制程竞争力

应用材料公司（Applied Materials, Inc.，AMAT）正式推出两款面向下一代垂直架构芯片的创新制造系统，标志着其在复杂三维半导体工艺领域的重大进展。新平台聚焦于逻辑芯片与3D NAND存储器的关键制造环节，旨在应对日益严峻的几何微缩挑战。

全新平台精准应对三维芯片制造瓶颈

此次发布的Centris Spectral SiN ALD与Producer Selectra Mo Etch系统，专为处理现代高性能芯片中高度密集且深窄的垂直结构而设计。随着行业向全环绕栅极晶体管及多层堆叠式闪存转型，传统工艺在材料均匀性与控制精度方面已显不足。

高精度氮化硅沉积保障逻辑芯片性能稳定

Centris Spectral SiN ALD平台采用高密度微波等离子体技术，在低温条件下实现氮化硅薄膜的超均匀沉积。该技术特别适用于形成晶体管内衬层与隔离屏障，有效降低关键节点处的电阻与寄生电容，满足先进逻辑器件与DRAM对微缩极限的严苛要求。

钼刻蚀系统解决3D NAND堆叠中的导通难题

Producer Selectra Mo Etch平台通过优化气体分布与工艺管理机制，实现对三维NAND阵列中钼金属导线的精确去除。相较于传统湿法刻蚀难以深入堆叠结构的问题，该系统显著提升垂直方向上的刻蚀一致性，避免轮廓失真，从而增强器件可靠性与生产良率。

布局前沿技术节点，契合AI驱动的芯片升级潮

当前人工智能工作负载正加速推动计算基础设施向更高集成度演进。应用材料公司计划在2026年IEEE VLSI技术与电路研讨会期间展示上述平台，并将于6月16日举办专题会议，探讨逻辑、存储、封装及制造协同创新路径。此举进一步巩固其在先进制程生态中的战略地位。