币圈界报道：

AI基建重构内存供需：美光创纪录增长背后的结构性短缺

人工智能基础设施的快速扩张正引发全球范围内前所未有的内存资源紧张。作为核心组件的高带宽内存面临严重供不应求，直接推动美光科技在十二个月内实现从七百亿到万亿市值的跨越式发展。

产能瓶颈与需求失衡形成不可逆缺口

传统内存市场长期遵循周期性波动规律，但人工智能技术的深度渗透彻底打破这一惯性。每轮AI推理任务均需大量动态随机存取存储器支持，单台服务器消耗量约为传统设备的八倍。英伟达H100与B200所依赖的高带宽内存，单位比特晶圆产能消耗是DDR5的三倍以上，造成行业无法填补的生产断层。

据公开信息，美光对最大客户的订单满足率仅维持在50%至三分之二区间。自九月以来，三星已将DRAM挂牌价上调约60%，现货价格同比攀升近三倍。供应商库存从2024年底的十七周骤降至2025年十月的两至四周，反映出供应链系统性承压。

当前合同分配机制与价格锁定已成为常态，而非短期扰动。基于主流厂商现有排产计划，供应短缺预计将延续至2028年，形成深远的结构性影响。

财务数据印证稀缺性带来的定价优势

美光科技2026财年第二季度营收达238.6亿美元，同比增长196%，超出市场预期24个百分点。毛利率攀升至74.4%，较一年前翻倍有余。此前2023年毛利率一度低于20%，此次逆转堪称历史性转折。

展望第三季度，公司预计营收将达到335亿美元，同比增长超200%；毛利率有望突破81%，每股收益预估为19.15美元，远高于市场平均预期的12.05美元。管理层称当前现金流水平“前所未有”。瑞银据此将目标价上调至1625美元，强调高带宽内存合同已锁定及短缺的长期属性。

尽管业绩亮眼，美光基于2026财年预期利润的远期市盈率仍仅为约8倍，显著低于成长型科技企业普遍水平。新产能建设进展缓慢——博伊西工厂要到2027年中才可满产，第二阶段持续至2028年底，纽约晶圆厂贡献则要等到2030年后。与此同时，高带宽内存市场总规模预计从2025年的350亿美元增至2028年的1000亿美元，增长空间巨大。