币圈界报道：

英特尔加速布局新型内存技术，战略意图日益清晰

英特尔首席执行官陈立武在近期播客中明确表示，创新内存架构已成为其个人重点推进项目之一。他坦言，过去对内存业务持保留态度，认为其类似大宗商品，但当前技术演进已使这一领域焕发新机。

核心产能扩张节奏如期推进，战略方向未受干扰

公司于8月10日以每股95美元的价格成功发行2.105亿股普通股，募资总额达200亿美元，创下自1971年上市以来最大规模的股权融资纪录。此次融资所得将主要用于资本支出及先进封装能力建设，与内存制造升级需求高度契合。

关键人事调动彰显长期布局决心

前SK海力士掌门人李锡熙于6月加入英特尔，担任代工业务执行副总裁。该任命被普遍视为公司在内存领域深化布局的重要一步。陈立武在访谈中暗示：“你大概能猜到我在想什么。”此举虽增强技术叙事，但也面临潜在利益冲突——据传SK海力士正洽谈收购英特尔俄亥俄州工厂，用于本土内存生产。

前沿技术研发持续突破，多路径并行探索

英特尔已获得名为“交叉批次内存”的专利，该设计旨在实现媲美HBM4的高带宽性能，同时省去昂贵的硅中介层，有望降低整体成本。该专利申请于2024年12月提交，2026年7月正式公布。与此同时，公司与软银旗下SAIMEMORY合作开发Z-Angle Memory技术，这是一种九层堆叠式DRAM结构，主打更高能效表现，被视为未来高性能内存的重要替代方案。

市场对新型内存前景充满期待。美光预测，全球高带宽内存（HBM）市场规模将从2025年的约350亿美元增长至2028年的1000亿美元，年复合增长率接近40%。然而，专家提醒，从概念验证到商业化落地仍面临巨大挑战。