三星推进美厂二期建设，2纳米产线锁定2030年投产

据《ZDNet Korea》报道，三星电子正加速在美国得克萨斯州泰勒市的先进半导体制造基地扩张进程。公司计划于今年晚些时候正式启动位于当地的晶圆厂二期项目，明确设定2030年实现量产的目标，并要求关键设备供应商提前完成SEMI认证，以确保后续部署与出口流程顺畅。

一期产线进入安装阶段，年底将启动2纳米产品试产

目前，泰勒基地的一期工程正处于设备安装的关键阶段，预计将在年底前正式投入运营，主要聚焦于2纳米制程技术的生产任务。该产线被视为支撑未来高端芯片供应的核心产能，且已确认特斯拉为其重要客户之一。

产能扩张节奏提速，年底前启动二期工程

在上月发布的第二季度业绩说明会上，三星方面透露，为应对日益增长的市场需求，公司将加快二期工厂的建设步伐，明确表示工程将于年底前正式动工，标志着其在美国本土半导体制造布局进入全面提速阶段。