3D NAND材料迭代：钼取代钨成主流趋势

据SemiAnalysis 8月23日报告，当3D NAND结构堆叠层数超过300层时，其生产材料正由钨向钼过渡。这一转变主要源于钼在超高深宽比结构中具备更优的导电性、工艺兼容性及填充均匀性，有效缓解了钨材料在极端微缩条件下出现的电阻上升与填充缺陷问题。

钼沉积设备需求激增，产业链受益者浮现

SemiAnalysis预计，到2027年，钼在全局NAND产能中的使用比例将从2025年的个位数显著提升至约30%。伴随这一技术演进，钼沉积专用设备市场规模有望在2027年突破10亿美元大关。届时，Lam Research与Tokyo Electron有望率先获益，Applied Materials、ASML以及中国华创半导体亦将分享增量红利。