SK海力士启动美国先进封装基地建设，聚焦高带宽内存研发

据韩联社Infomax报道，SK海力士于8月27日（韩国时间）在印第安纳州普渡大学正式举行其先进封装生产设施的奠基典礼。该基地将作为公司全球战略布局的重要一环，专注于下一代高带宽内存（HBM）及人工智能专用内存产品的制造与技术攻关。

总投资逾40亿美元，强化美本土产能布局

项目总投资额预计将超过40亿美元，涵盖生产线建设、设备采购及前沿技术研发。公司高层表示，此举旨在提升在美国市场的本地化供应能力，以应对持续增长的高性能计算与人工智能应用需求。