三星与SK海力士加速推进HBC芯片商业化落地

据行业消息，三星电子与SK海力士已启动高带宽计算（HBC）芯片的联合开发进程，旨在突破现有高带宽内存（HBM）在性能与成本上的瓶颈。该合作由高通主导推动，其执行副总裁杜尔加·马拉迪在德意志银行2026科技大会上披露，其在投资者日活动后即赴韩国，与两家核心内存厂商展开深入洽谈。

DRAM堆叠技术成关键突破口，协同台积电推进封装集成

当前，双方正聚焦于新型DRAM芯片的垂直堆叠架构设计，以提升数据传输效率并降低单位功耗。同时，项目已明确将与台积电展开深度协作，整合先进封装与异构集成技术，确保整体系统在性能与可靠性方面达到商用标准。