SK海力士印第安纳州新厂奠基，加速本土高带宽存储布局

今日，SK海力士在印第安纳州西拉斐特正式举行其斥资40亿美元建设的先进存储器封装工厂动工仪式，标志着美国推动本土半导体制造能力重建迈入实质性阶段。该设施将作为公司在美首个高带宽存储器（HBM）封装中心，强化其在全球先进芯片供应链中的地位。

产能部署按计划推进，2028年进入洁净室运行阶段

根据规划，该工厂将于2028年10月启动洁净室运营，为后续大规模生产奠定基础。整个项目获得美国《芯片与科学法案》的资金与政策支持，凸显政府对关键半导体产业本土化布局的高度重视。

2029下半年实现量产，助力全球算力需求增长

工厂预计于2029年下半年正式投入量产，届时将显著提升高带宽内存产品的本地供应能力，满足人工智能及高性能计算领域日益增长的市场需求，进一步巩固美国在尖端半导体制造生态中的竞争力。