SK海力士加速布局美国市场，40亿美元存储基地正式动工

8月27日，韩国半导体巨头SK海力士正式启动位于美国印第安纳州的大型存储中心建设项目，总投资额达40亿美元。该设施将作为其全球产能扩张的重要支点，重点聚焦高性能内存产品制造。

下一代HBM4E芯片将于2029年实现规模化生产

根据公司规划，印第安纳州工厂将在2029年下半年进入下一代高带宽内存芯片——HBM4E的量产阶段。这一节点被视为提升美国本土先进半导体制造能力的关键里程碑。

确立美国为高带宽内存核心制造枢纽

SK海力士首席执行官明确表示，随着该基地的建成与投产，印第安纳州有望成为美国境内高带宽内存技术的核心生产基地，进一步强化本地供应链韧性并满足日益增长的AI算力需求。