三星推进8层HBM4E研发，助力英伟达新一代AI芯片

根据《首尔经济日报》披露，三星电子已启动针对英伟达定制高带宽内存（NVHBM）的8层堆叠式HBM4E产品开发工作，该产品将用于未来高端AI计算平台。

传输速率突破18Gbps，性能较前代提升近两成

英伟达设定的目标数据速率在17至18Gbps之间，相较三星早期发布的HBM4E样品所达到的14.4Gbps，增幅接近20%，显著增强数据吞吐能力，满足高性能计算场景下的严苛需求。

8层设计优化制造流程，保障量产稳定性

采用8层堆叠结构可有效缓解多层堆叠带来的工艺挑战，降低良率风险，同时提升整体供应弹性，为大规模部署奠定基础。

Rubin Ultra GPU或首发搭载，互连规模大幅跃升

预计该新型存储方案将首次应用于明年发布的Rubin Ultra AI GPU，其内部GPU核心互联数量将由现有版本的72颗扩展至最高576颗，实现算力网络的跨越式演进。