存储芯片供需失衡推升价格，2027年增长预期显著上修

美国银行全球研究部最新报告显示，9月份全球DRAM与NAND现货市场的供应充裕度已跌破50%，预示价格将出现10%至20%的涨幅。报告强调，人工智能基础设施投资加速、主要芯片厂商对核心客户的优先供应策略，以及消费电子旺季的到来，共同构成价格上涨的核心驱动力。

关键产品价格飙升，同比涨幅惊人

当前市场表现显示，16Gb DDR5内存价格已达54美元，较年初累计上涨85%；而1Tb NAND晶圆现货价攀升至31.9美元，同比涨幅高达526%，反映出存储市场正经历剧烈的价格重构。

2027年行业营收前景乐观，增速远超预期

基于平均售价提升10%及出货量增长19%的情景测算，美国银行将2027年全球DRAM行业销售额同比增长率预估上调至逾80%，显著高于原先的48%预测。该行认为，英伟达强劲的业务指引、定制化AI芯片持续放量，叠加云服务商新增产能吸收能力有限，将持续支撑存储产品的定价韧性与整体增长动能。