长鑫科技扩产提速，2028年或冲击全球内存供应格局

摩根士丹利最新研报强调，中国存储企业的崛起不应仅被解读为技术追赶或价格竞争，其背后的核心变量在于产能规模的快速扩张，可能从根本上改变全球存储器市场的供给结构。

高端市场突破路径清晰，逐步切入高利润领域

当前，长鑫科技与长江存储正由主流产品线稳步拓展至高附加值品类，包括高带宽内存（HBM）、先进服务器级DRAM及企业级固态硬盘，标志着其产品定位已从成本导向转向性能与生态并重。

2028年成关键转折点，全球产能博弈进入新阶段

大摩将2028年视为评估全球存储格局演变的关键时点。届时，中国厂商的新增产能将集中释放，叠加三星、SK海力士与美光原有扩产计划陆续落地，全球晶圆供给弹性显著提升，市场竞争进入结构性调整期。

产能跃升预期明确，长鑫或提前实现全球前三目标

据预测，长鑫科技2025年月均DRAM晶圆产能为18万片，2026年将增至30万片，占全球总产能约13%，位元出货量占比达11%；至2028年进一步攀升至50万片，2031年或达80万片。若进展顺利，其2030年全球位元出货市占率有望接近15%，并在2028年前后凭借产能规模超越美光，成为全球第三大DRAM供应商。