长鑫科技启动先进HBM3E小规模生产

根据The Information援引两位知情人士的消息，中国存储芯片制造商长鑫科技已开始对高带宽内存HBM3E进行小批量试产。这一进展表明其在高端内存技术路径上取得实质性突破，产品可适配当前主流高性能AI计算架构。

技术代差缩小，逼近全球领先水平

尽管长鑫科技的量产进度仍略晚于三星、SK海力士及美光科技等国际巨头，但其推出的HBM3E已处于行业第二代技术水平，显示出快速追赶的能力。这为国内AI基础设施供应链自主化提供了重要支撑。

2027年将推进大规模产能布局

企业规划显示，长鑫科技将在2027年前完成生产体系升级，全面扩大HBM3E的制造规模，以满足不断增长的国产算力设备需求，并逐步提升在全球内存市场的竞争地位。