三星公布内存演进蓝图：多代技术性能全面跃升

据ETNews报道，三星电子于9月1日正式发布其下一代内存技术发展战略，明确规划了从HBM5到zHBM的性能跃迁路径，同时推进面向人工智能场景的新型存储架构研发。

高性能内存迭代加速，目标直指算力瓶颈突破

在高端显存领域，三星计划使HBM5的性能达到当前HBM4E规格的两倍水平，而后续推出的zHBM产品则将实现对HBM4E性能的八倍提升，显著增强数据中心与高性能计算平台的并行处理能力。

新型存储架构瞄准大模型需求，能效与密度双突破

为应对大型语言模型对存储容量与访问效率的严苛要求，三星正开发名为zNAND-O的新一代存储技术，目标是实现位密度达DRAM的十倍，并将读取带宽与能效优化至传统NAND闪存的七倍水平，该产品预计于2028年推出量产测试样本。