三星发布存储技术跃迁路线：HBM5性能翻倍，zHBM冲向八倍提升

据ETNews报道，三星电子已规划下一代高带宽存储器HBM5的性能目标为当前HBM4E的两倍，后续更推出性能达HBM4E八倍的zHBM产品，以3D结构创新为核心策略，全面争夺未来存储市场的制高点。

面向大模型需求，高密度存储突破在即

为应对大语言模型对海量数据存取的迫切需求，三星正加速推进zNAND-O的研发进程。该产品旨在实现比特密度达到DRAM的十倍水平，同时读取带宽与能效分别提升至传统NAND的七倍。

2028年进入样品阶段，商业化路径清晰

根据计划，三星将于2028年启动zNAND-O的样品供应，标志着其在非易失性存储领域迈向全新高度，为人工智能基础设施提供关键支撑。