存储芯片库存逼近警戒线，2025年恐迎供应危机

据KB证券9月7日发布报告，三星电子与SK海力士当前内存库存已压缩至第三季度不足十天的水平，凸显行业供需失衡加剧。该机构预测，随着人工智能基础设施建设加速推进，明年全球DRAM与NAND闪存需求将远超产能供给，可能形成超过10个百分点的历史性缺口。

AI驱动需求跃升，产能扩张难跟上节奏

分析师指出，生成式AI模型训练及数据中心升级持续推高对高性能存储的需求，而现有产线扩产周期较长，难以在短期内弥补供需差距。尽管厂商已启动新一轮资本支出，但产能爬坡仍需数个季度，短期内难以缓解紧张态势。