ASML与台积电启动12英寸光掩模协同开发计划

据彭博社报道，ASML与台湾半导体制造公司（TSMC）于9月8日共同发布一项行业协作倡议，聚焦于推动高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）技术所依赖的12英寸光掩模产业化进程。

2031年前建成试产平台，2033年完成系统集成

该计划明确设定阶段性目标：至2031年之前建成12英寸光掩模试验性生产线，并在2033年前实现面向最先进制程节点的完整光刻系统部署，为下一代芯片制造奠定基础。

产业链多方参与者积极表态加入

目前已有多个采用High NA EUV技术的企业及关键材料与设备供应商公开表示将参与该协作框架，显示出行业对这一技术路线的高度共识与协同意愿。