ASML规划2033量产路径：突破掩模尺寸制约提升芯片产能

据ChainCatcher报道，ASML正推进下一代极紫外光刻系统的研发，预计在2031年前完成技术原型，并于2033年实现规模化部署。该系统核心目标是解决现有高数值孔径EUV设备因掩模尺寸受限导致的产能瓶颈问题。当前主流EUV设备所能处理的芯片区域最大约800平方毫米。

携手Nvidia等巨头打造定制化先进制程解决方案

为满足高性能计算领域对先进制程的迫切需求，ASML将联合Nvidia等关键客户，共同开发专用于数据中心芯片生产的光刻技术方案，强化在高端芯片制造环节的协同创新能力。