长鑫存储启动NAND闪存研发，布局高端存储赛道

据路透社9月18日报道，中国半导体企业长鑫存储正筹备进入NAND闪存市场，已在京建立新研发基地，规划设立专属研究院，重点推进NAND芯片技术攻关与产品开发。

新项目对接潜在客户，聚焦AI与高性能计算应用

知情人士透露，长鑫存储已就其闪存计划与多家终端客户展开初步沟通，其中包括一家专注于前沿计算领域的初创公司。该企业有意采购长鑫的NAND芯片，以支持其在人工智能平台和超级计算机中的存储架构部署。

量产节奏尚未明朗，研发阶段或持续数年

目前，该研发产线的具体启用时间仍未公布，公司也未披露是否将从试制阶段转入大规模量产。业内分析认为，从技术研发到商业化落地，可能需经历数年周期，最终进展取决于技术突破与市场需求匹配程度。