长鑫存储官宣4F²架构重大突破，新一代内存产品即将面世

10月10日，长鑫存储在第四届集成芯片和芯粒大会期间宣布，其在DRAM器件设计与4F²架构研发方面实现关键性技术跃升。公司总裁曹堪宇博士在会上系统阐述了公司在先进制程、封装工艺及核心架构领域的长期积累。

4F²架构实现密度与性能双重优化

该架构通过精细化单元布局与电学结构改进，在保持高可靠性的前提下显著提升单位面积存储容量，为下一代内存产品提供更优的能效比与运行效率。

混合键合技术助力高端内存封装升级

长鑫同步推进混合键合（Hybrid Bonding）技术的工程化应用，有效降低信号延迟并提升数据传输速率，为高性能计算场景下的内存模块集成奠定基础。