三星确认与台积电合作代工英伟达定制HBM基片

据《首尔经济日报》10月18日周报披露，三星电子已决定采用台积电的3纳米制程技术，为英伟达新一代定制化高带宽内存（HBM）芯片提供基底裸片支持。这一举措意味着三星首次在HBM核心制造环节引入外部代工伙伴，开启跨厂协同新模式。

英伟达推动统一基片标准，多供应商协同落地

报道指出，英伟达已向三星、SK海力士及美光科技提出明确要求，所有定制化NVHBM产品均需基于台积电的先进工艺打造基底裸片，并结合第六代DRAM技术完成核心芯片集成。该策略旨在实现跨厂商的标准化部署，提升系统兼容性与量产效率。

三星保留自主产能，评估自研替代方案可行性

尽管接受英伟达的技术规范，三星仍计划维持对标准型HBM及面向非英伟达客户的定制化产品的自主生产体系。同时，公司正在内部评估，若未来台积电产能无法满足需求，其自有代工厂是否具备承接NVHBM基片制造的能力，以确保供应链弹性。