三星与SK海力士加速中国存储芯片产线升级

据知情人士透露，三星电子正规划将其位于中国西安的半导体制造基地转向286层三维闪存芯片的量产，目标在2027年实现全面投产，此举旨在强化其在全球存储市场的技术领先优势。

大连工厂将承载高密度存储研发新使命

与此同时，韩国企业SK海力士已启动在中国大连厂区的产能重构，计划引入240层及更高层数的先进闪存技术，以满足未来数据存储需求激增带来的产能压力。