英飞凌加速布局高能效芯片，八年内投12亿美元扩产

据彭博社报道，英飞凌技术公司于10月27日宣布，将在未来八年投入11亿欧元（约合12亿美元），全面升级其位于奥地利菲拉赫的核心功率芯片制造基地。此次扩建旨在应对人工智能数据中心、新能源汽车以及智能机器人行业对高效能半导体日益攀升的需求。

300毫米晶圆平台将支撑下一代氮化镓芯片量产

新项目将聚焦于现有设施的技术迭代，引入300毫米晶圆生产体系，专攻氮化镓（GaN）功率器件的规模化制造。该技术具备更高开关频率与更低能耗特性，适用于高密度电源管理场景。

产能释放分阶段推进，2027年进入大规模生产

根据公司公告，扩建工程将持续至2034年，而首阶段的大规模量产计划定于2027年底正式开启，标志着其在先进功率半导体领域的战略布局全面提速。