台积电启动3D DRAM研发，布局下一代存储技术

全球领先的芯片代工巨头台积电近期启动一项战略性规划，拟拓展至先进存储芯片制造领域，重点研发名为3D DRAM的新型内存架构，标志着其在非逻辑芯片赛道迈出关键一步。

应客户需求推进，核心项目由高层牵头

该计划源于其最大客户英伟达对高性能存储解决方案的迫切需求，旨在深化双方在人工智能基础设施领域的协同。项目由负责先进封装业务的副总裁徐国晋亲自主导，凸显其战略重要性。

建设路径待定，双方案并行评估

目前，台积电正审慎评估两种可行性路径：一是新建专用存储晶圆厂；二是收购现有半导体生产设施并进行技术改造以适配3D DRAM产线。具体量产时间表尚未确定，仍处于前期可行性研究阶段。