摘要:SK海力士宣布拟通过美国存托凭证在纳斯达克上市,计划募资约280亿美元,用于扩产先进内存产能。尽管融资前景广阔,公司股价仍下跌3.38%。资金将投向EUV设备采购与晶圆厂建设,支撑其在全球AI基础设施中的核心地位。

币圈界报道:
SK海力士赴美上市募资280亿美元,市场反应分歧明显
SK海力士在公布纳斯达克上市计划后,股价应声回落3.38%,收于2,343,000韩元。该公司拟通过发行美国存托凭证(ADR)筹集约280亿美元,以强化其在人工智能驱动的内存芯片领域的领先地位。募集资金将主要用于新建半导体制造设施、引进极紫外光刻(EUV)设备及扩展高带宽内存(HBM)产能。
跨境融资布局:借力美股平台加速全球扩张
SK海力士计划在纳斯达克交易所发行1779万股新ADR,每份代表十分之一股普通股。定价区间将于周一披露,最终价格将在周四确定。根据监管流程,公开交易预计在定价后周五启动。此举标志着公司进一步深化与美国资本市场的联动,同时契合全球对高性能计算芯片需求的迅猛增长。
制造升级双轨并进:从设备引进到产线落地
所募资金将直接投入下一代晶圆厂建设及先进生产设备采购。公司已规划从ASML采购极紫外光刻机,用于生产支持AI加速器和数据中心架构的尖端内存组件。这一关键环节将决定其在高密度封装与制程迭代上的竞争节奏。
国家战略协同:韩国576万亿韩元芯片振兴计划落地
当前全球半导体产能正加速向人工智能应用倾斜。据GlobalData TS Lombard预测,2026年前全球AI基础设施投资规模或逼近8000亿美元,其中美国占比逾八成。在此背景下,韩国政府推出总额达576万亿韩元的区域发展计划,重点扶持西南地区半导体与人工智能生态。SK海力士与三星电子被列为该战略的核心实施主体。
本土产能再升级:清州基地百亿韩元投资蓝图
公司宣布在清州推进一项总值100万亿韩元的国内制造扩张计划,涵盖M17 NAND晶圆厂及P&T7先进封装项目。该举措旨在巩固韩国核心半导体制造枢纽的综合竞争力,提升本土供应链自主性。
市场份额持续领跑:高带宽内存领域占据半壁江山
截至2026年第一季度,SK海力士在全球DRAM市场收入份额达29.1%,在专业高带宽内存领域更是以56.4%的市占率稳居首位。同时,其在NAND闪存市场排名第二,份额为18.5%。其产品广泛集成于英伟达GPU、服务器系统、消费级设备及移动终端中,成为全球算力网络的关键节点。
财务表现方面,公司一季度营收达52.576万亿韩元,利润为40.346万亿韩元;2025财年全年收入为97.147万亿韩元,净利润为42.948万亿韩元。此外,通过子公司Solidigm及与英伟达的长期供应合作,进一步拓展了全球业务版图。
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