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美产第五代GaNFast晶圆实现商业化落地

Navitas Semiconductor正式开启其第五代GaNFast平台在美国的量产进程，首批晶圆将于九月通过位于佛蒙特州伯灵顿的GlobalFoundries工厂出货。该举措不仅强化了公司对本土先进功率半导体制造的布局，也推动了高性能电源解决方案在计算、工业与国防市场的应用部署。

本土化制造迈出实质一步，供应链韧性增强

此次生产落地依托于Navitas与GlobalFoundries自2025年11月建立的长期战略合作。双方协同优化器件设计与工艺流程，使第五代GaNFast技术适配200毫米硅基氮化镓制造平台，显著提升产能可扩展性与良率稳定性。

多规格产品线覆盖多元应用需求

首批推出的650伏GaN FET涵盖11、18、50、120和150毫欧五种导通电阻选项，满足从高效率到高功率密度场景的差异化需求。该系列专为追求开关性能、热管理与系统尺寸平衡的电源架构而设计，适用于高性能计算与能源密集型工业设备。

样品计划进入全面验证阶段

九月晶圆下线后，内部测试与认证工作将于十月展开。年底前将向关键战略客户交付样品，支持在目标市场开展系统级评估与集成验证。这一节点标志着从研发到本土代工的完整路径闭环，进一步明晰了产品商业化节奏。

持续深耕氮化镓与碳化硅核心技术体系

自2014年起，Navitas便致力于氮化镓功率器件的创新，同时布局碳化硅技术路线。目前拥有超300项已授权及申请中的专利，覆盖器件结构、工艺设计套件、集成电源电路、控制逻辑与保护机制等全栈能力。随着第五代平台适配200毫米晶圆，未来有望实现更大规模生产，支撑更广泛的市场需求。