SK海力士1c nm DRAM市占率将首超三成，成先进存储新标杆

据《朝鲜商报》披露，SK海力士的1c nm DRAM技术市场占有率有望在2027年第一季度攀升至35%，超越当前主流的1b节点约33%的份额，标志着其正式迈入行业主导地位。该工艺已从2026年第一季度的约10%增长至第二季度的13%，预计第三季度将达24%，第四季度逼近34%。

先进制程持续突破，HBM核心工艺加速渗透

1c nm工艺作为下一代高带宽内存（HBM）堆叠的关键技术，正逐步成为高性能计算与AI芯片配套存储的首选方案，推动整个产业链向更高集成度演进。