三星加速布局下一代3D Cube-H封装技术

据韩国ZDNet 11月10日报道，三星电子已明确规划，将于2027年初完成第三代先进封装技术——3D Cube-H的研发工作，并同步发布首套设计工具包，为潜在客户开展评估奠定基础。

混合键合技术突破：实现6微米级高密度互连

该技术核心采用混合键合（Hybrid Bonding）方案，通过铜对铜直接连接方式实现芯片垂直堆叠，将最小互连间距压缩至约6微米，相较当前热压键合（TC Bonding）技术的25微米水平有显著优化。

性能优势凸显，助力高算力场景落地

相较于传统封装方式，3D Cube-H在提升芯片连接密度、改善散热效率及降低数据传输功耗方面具备明显优势，尤其适用于高性能AI芯片、GPU多层堆叠以及逻辑芯片与高带宽内存（HBM）的集成应用。